相变存储器材料研究

发布时间：2017-11-19 07:18

  本文关键词：相变存储器材料研究

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【摘要】：作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.
【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
【基金】：中国科学院战略性先导科技专项(编号:XDA09020402) 国家重点基础研究发展计划(编号:2011CBA00607,2011CBA00602) 国家自然科学基金(编号:61076121)资助项目
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1引言 Ovshinsky[1]最早在1968年发现了硫系化合物材料具有“有序-无序”可逆转变现象,并指出利用这种现象可实现信息的存储.随后经过30多年的研究,硫系化合物薄膜在光存储领域实现了商品化,广泛应用在 CD-RW,DVD-RW,DVD-RAM和蓝光相变光盘.硫系 化合物材料发生相变时不仅，

本文编号：1202745