应用于超低电压下的SRAM存储单元设计

发布时间：2017-12-13 15:26

  本文关键词：应用于超低电压下的SRAM存储单元设计

  更多相关文章： 随机静态存储器(SRAM) 低电压 低功耗 存储单元 多阈值

【摘要】：提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130nm工艺仿真结果显示,提出的8T结构能够在最低0.3V下正常操作,单元的读写噪声容限,保持噪声容限,相比传统6管结构显著提升,并且低电压下静态功耗方面均比传统6管结构降低60%~70%.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;
【基金】：中国科学院战略性先导科技专项极低功耗智能感知技术(XDA06020401)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1引言近年来随着无线传感网络,健康医疗电子,可穿戴设备等应用的兴起,对集成电路功耗的要求越来越高,功耗成为设计的关键[1].对于各种应用下的SOC,嵌入式存储器占据了很大一部分面积和功耗,尤其是嵌入式静态随机存储器(Static Randommemory),因此,设计出一款低功耗SRAM尤其重

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本文编号：1285671