内存空间在双空间存储器上的推移技术实验
本文关键词:内存空间在双空间存储器上的推移技术实验 出处:《上海大学学报(自然科学版)》2017年02期 论文类型:期刊论文
更多相关文章: 双空间存储器 非易失性随机存储器(non-volatile random access memory NVRAM) 内存推移
【摘要】:详细介绍双空间存储器理论和其核心技术——内存空间推移技术的仿真实验.证实了用非易失性随机存储器(non-volatile random access memory,NVRAM)构建双空间存储器的可行性,同时通过对8086CPU系统的仿真实验,证实了将内存空间在双空间存储器上推移之技术的正确性.实验设置的目标系统包含一个8086CPU,16 MB的双空间存储器和16个8位的推移锁存器.目标系统中设置了2个不可闭窗和14个可推移的窗框,在不可闭的255号窗壁中设置了8086CPU的首指令和初始化程序,在不可闭的254号窗壁设置了8086CPU的中断向量表和双空间存储器的推移向量表.实验完成了8086CPU的上电过程、自动执行初始化程序、正确执行中断命令、正确执行数据读写命令等操作,并将CPU对其1 MB内存空间的随机读写访问自动落实为对16 MB双空间存储器指定位置的实时随机访问;实验还完成了随时修改推移锁存器的操作,并以此将对应的窗框推移到了双空间存储器的任意位置.实验结果为双空间存储器理论和内存空间推移技术奠定了基础.
[Abstract]:The simulation experiment with dual memory space theory and its key technology, the memory space goes on technology. We proved that the nonvolatile random access memory (non-volatile random access memory, NVRAM) the feasibility to construct double space memory, the simulation of the 8086CPU system, confirmed the correctness of the memory space in the dual space memory on the moving target system. Experimental set contains a 8086CPU, double space memory of 16 MB and 16 8 goes on the latch. The target system set up 2 and 14 can not shut the pushing window frame, 8086CPU first instruction and initialization procedures can not be set in the closed No. 255 window wall, the interrupt vector table 8086CPU and the double space vector table is arranged in the passage of memory can not be closed the window 254 wall. The experiment was done on 8086CPU electric process automatically performs initialization process Order, the correct implementation of the interrupt command, the correct implementation of data read and write command, and random read CPU on the 1 MB memory space to implement the automatic write access to real-time random access to the specified position 16 MB double space memory; experiment is done to modify passage of the latch operation, and then the window frame by corresponding to any position of the double space memory. The experimental results lay a foundation for the double space memory theory and the memory space goes on.
【作者单位】: 上海大学计算机工程与科学学院;
【基金】:国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61103054) 上海市自然科学基金资助项目(15ZR1415400,13ZR1416000) 上海市教委科研创新资助项目(13ZZ074,13YZ005)
【分类号】:TP333
【正文快照】: (自然科学版)第23卷storage.The experimental results lay a foundation for the double-space memory principleand its memory space move technique.三值光学计算机[1-3]有众多的数据位,因而适合于处理大批量的数据[4-7].这一特征不仅要求三值光学计算机的存储器具有较大
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 BRIAN DIPERT;;清除不合格的存储器[J];电子设计技术;2002年03期
2 张健;CellularRAM存储器:2.5G/3G终端的理想方案[J];电子设计应用;2003年10期
3 ;韩国开发出新一代超高速存储器芯片[J];世界科技研究与发展;2004年02期
4 ;韩国开发出新一代超高速存储器芯片[J];稀有金属;2004年03期
5 ;我国首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功[J];发明与创新(综合科技);2011年06期
6 窦振中;未来存储器技术[J];电子产品世界;2000年02期
7 邹益民;存储器的兼容性设计[J];电子工艺技术;2001年03期
8 邹益民;存储器的兼容性设计[J];国外电子元器件;2001年04期
9 潘立阳;朱钧;段志刚;伍冬;;快闪存储器技术研究与进展[J];中国集成电路;2002年11期
10 仇德成,王东海;存储器扩展中片选的连接[J];河西学院学报;2003年02期
相关会议论文 前4条
1 卫宁;王剑峰;杜婕;周聪莉;郭旗;文林;;抗辐射加固封装国产存储器电子辐照试验研究[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
2 胡勇;吴丹;沈森祖;石坚;;基于V93000测试系统的存储器测试方法研究和实现[A];第五届中国测试学术会议论文集[C];2008年
3 吾勤之;许导进;王晨;刘刚;蔡小五;韩郑生;;SRAM存储器单粒子效应试验研究[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
4 唐民;;超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
相关重要报纸文章 前9条
1 姜洋;恒忆进军存储器市场[N];中国计算机报;2008年
2 本报记者 郭涛;闪存之后,相变存储器再受关注[N];中国计算机报;2011年
3 南京 沈永明;彩电存储器读写器的制作和使用[N];电子报;2005年
4 莫大康;应用推动 存储器重回上升轨道[N];中国电子报;2007年
5 记者王俊鸣;64位存储器在美问世[N];科技日报;2002年
6 蔡绮芝 DigiTimes;IBM Racetrack Memory将取代闪存[N];电子资讯时报;2007年
7 IDG电讯;“牛”气冲天[N];计算机世界;2000年
8 记者 张锦芳;韩国高速芯片每秒可传1万本厚书[N];新华每日电讯;2004年
9 赵军红 编译;存储器或将迎来一场新革命[N];科技日报;2010年
相关博士学位论文 前5条
1 袁方;新型高密度非挥发存储器研究[D];清华大学;2014年
2 吴丹;高效能计算型存储器体系结构关键技术研究与实现[D];华中科技大学;2012年
3 范雪;一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究[D];电子科技大学;2011年
4 刘璐;高k栅堆栈电荷陷阱型MONOS存储器的研究[D];华中科技大学;2013年
5 周娇;相变存储器按比例缩小研究[D];华中科技大学;2014年
相关硕士学位论文 前10条
1 李延彬;基于PCM的写操作优化策略研究与设计[D];山东大学;2015年
2 赵志刚;基于相变存储器电流约束下片内并行写入操作研究[D];山东大学;2015年
3 余坦秀;基于FPGA的DDR2 SDRAM控制器的设计与实现[D];西安电子科技大学;2014年
4 邵津津;40纳米工艺双模转置存储器的设计[D];国防科学技术大学;2014年
5 任圣;新型纳米硅量子点浮栅存储器和硅基阻变存储器的研究[D];南京大学;2014年
6 于军洋;基于Dy_2O_3阻变存储器的制备及性能研究[D];北京有色金属研究总院;2016年
7 杨晓龙;低功耗单栅非挥发性存储器的研究[D];天津工业大学;2016年
8 姚远;OTP存储器智能烧录系统开发技术研究[D];电子科技大学;2016年
9 周伟;相变存储器单元热扩散特性及其测试系统研究[D];华中科技大学;2015年
10 刘畅;相变存储器温度特性及阵列热串扰研究[D];华中科技大学;2015年
,本文编号:1372517
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/1372517.html