OTP存储器存储单元内寄生电容对读取阈值的影响

发布时间：2018-01-04 14:35

  本文关键词：OTP存储器存储单元内寄生电容对读取阈值的影响　出处：《电子设计工程》2016年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：在OTP存储器的设计中,基于得到OTP存储器存储单元编程后尽可能大的读取阈值的目的,以提高OTP存储器的编程效率和芯片成品率,采用了消除存储单元内寄生电容的方法,通过对OTP存储器存储单元内带寄生电容和不带寄生电容两种情况下的仿真以及对比,可以发现存储单元内寄生电容的存在会使OTP存储器编程后的读取阈值减少8 kΩ左右,所以在OTP存储器的设计中,应尽可能消除掉存储单元内的寄生电容,获得尽可能大的读取阈值。
[Abstract]:In the design of OTP memory, in order to improve the programming efficiency and chip yield of OTP memory, the purpose is to obtain the maximum read threshold after programming of OTP memory cell. The method of eliminating parasitic capacitance in memory cell is used to simulate and compare the parasitic capacitance with or without parasitic capacitance in the memory cell of OTP memory. It can be found that the existence of parasitic capacitance in memory cells will reduce the reading threshold of OTP memory by about 8k 惟 after programming, so it is in the design of OTP memory. The parasitic capacitance in the memory cell should be eliminated as much as possible and the maximum read threshold should be obtained.
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金项目(61404021)
【分类号】：TP333
【正文快照】： OTP(one time programmable)存储器[1]作为只可以编程一次的非易失性存储器具有集成度高、存取速度快等特点,在航空航天、军工等对抗辐照、保密特性要求很高的领域中,起着不可替代的作用[2]。OTP存储器的种类很多,很多是基于熔丝和反熔丝,本文介绍的OTP存储器基于反熔丝结构[3

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本文编号：1378832