适用于闪存的高速灵敏放大器

发布时间：2018-01-05 12:37

  本文关键词：适用于闪存的高速灵敏放大器　出处：《半导体技术》2016年08期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到1.2 V电压级,与传统的通过位线嵌位电路嵌位的位线电压(0.5~0.8 V)相比,不仅节省了位线电压的稳定时间,而且增强了读取单元的电流窗口,进而减少感应延迟。在位线多路选择器中使用低压p沟道型晶体管,避免了列译码器中电压级移位器的使用,结果增强了位线有效预充时间。采用90 nm闪存工艺设计,提出的灵敏放大器在2.5 V电源电压时的读取时间是11.2 ns,相对于传统的结构,单个灵敏放大器的读取速度被优化了约20%。
[Abstract]:A method is presented for the flash speed sensitive amplifier. The amplifier removes the bit line clamping circuit, a bit line precharge circuit of pre charge directly using a 1.2 V power supply unit selected to 1.2 V voltage level, and the traditional clamping circuit block bit by bit line line voltage (0.5~0.8 V) compared to not only save the bit line voltage stability time, enhances the current window reading unit and then reduce the induction delay. Using low voltage P channel transistor bit line multiplexer, avoiding the use of voltage level shift is the result of a column decoder, enhanced bit line precharge time. By effectively 90 nm flash technology design, read time sensitive amplifier proposed in 2.5 V supply voltage is 11.2 ns, compared with the traditional structure, the read speed of single sense amplifier is optimized by about 20%.

【作者单位】： 上海电机学院电子信息学院;上海大学机电工程与自动化学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61376028) 上海市科委智能制造及先进材料领域资助项目(13111104600)
【分类号】：TN722;TP333
【正文快照】： 0引言近年来,闪存由于读取速度高和功耗低已经广泛用于快速发展的通信、消费类电子产品等领域。随着电子设备功能的增多和人们生活节奏的加快,人们对不同产品的高速操作的需求不断增加。因此,作为决定电子产品等速度的关键非易失性存储器也必须不断提高自身的读取速度[1]。闪，

本文编号：1383181