各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究

发布时间：2018-01-06 02:11

  本文关键词：各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究　出处：《原子核物理评论》2014年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形;"L"型和"田"型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后,对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。
[Abstract]:The results of heavy ion experiments show that fast heavy ions with high linear energy transfer (LET) or large angle incidence lead to an increase in the ratio of multiposition flip mumber (MBU) in static random access memory (SRAM). The charge in a single ion track can diffuse several microns along the radial direction. The anisotropic spatial layout of the sensitive region of the device and the direction of ion incidence affect the MBU pattern characteristics of the test device. The longitudinal isolation of the contact points of the bitline leads to the transverse formation of the device. Is the main two-bit flip pattern; "L" type and "Tian" type are the main three-bit flip and four-bit flip pattern respectively. Finally, the design and experimental verification method of SRAM anti-#en1# reinforcement are discussed.
【作者单位】： 中国科学院近代物理研究所;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11179003,10975164)~~
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1引言空间辐射环境中的高能重离子和质子引起的单粒子效应[1](Single Event Effects,SEEs)对航天器电子学系统的正常工作造成严重的威胁,是导致航天器工作异常和故障的主要诱因之一。多位翻转(Multiple-Bit Upset,MBU)指单个粒子入射到存储电路中,沉积足够的能量,导致多个物理

【参考文献】

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【共引文献】

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