基于延时链的高精度SRAM时序参数测量电路

发布时间：2018-01-07 23:18

  本文关键词：基于延时链的高精度SRAM时序参数测量电路　出处：《微电子学与计算机》2017年06期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：本文提出并实现了一种用于测量SRAM时序参数的延时链电路,在SMIC 130nm工艺下精度可以达到4.9ps.该延时链电路包括可调链路和固定链路,可调链路由可编程粗调单元和精调单元组成,固定链路由固定单元组成.并将待测SRAM和测量电路集成入SOC系统中,从而实现SRAM的建立、保持和读写时间切换测量的功能.
[Abstract]:In this paper, a delay chain circuit used to measure the timing parameters of SRAM is proposed and implemented. In the SMIC 130nm process, the precision can reach 4.9 ps.The delay chain circuit includes adjustable link and fixed link. The adjustable link is composed of programmable coarse tuning unit and fine tuning unit. The fixed link is composed of fixed units, and the SRAM and the measuring circuit are integrated into the SOC system to realize the establishment of SRAM, the function of maintaining and reading and writing time switching measurement.
【作者单位】： 上海交通大学电子信息与电气工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61176037)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1引言嵌入式存储器的时序参数,包括建立、保持、读写时间,决定了存储器的性能.随着存储器性能的提高,传统测试机的成本在测量越来越短的时间也变得越发昂贵,精确地测量存储器的时序参数成为了一项巨大的挑战,因此需要片上电路测量方案.许多研究中都有以延时链为核心的测量电路

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本文编号：1394658