一种用于ASIC内部存储器单粒子翻转效应评估的方法

发布时间：2018-01-09 12:10

  本文关键词：一种用于ASIC内部存储器单粒子翻转效应评估的方法　出处：《微电子学与计算机》2017年10期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：本文提出了利用存储器内建自测试(MBIST)进行专用集成电路(ASIC)内部存储器的单粒子翻转(SEU)检测方法,研究并制定了MBIST的单粒子有效性辐照注量的统计方案,最后在重离子加速器上应用该方法进行了单粒子试验验证.通过与相同结构的存储器SEU结果的对比分析,结果表明,MBIST在有效辐照注量(1.27E+7icons/cm2)下,与存储器在标准辐照注量(1E+7icons/cm2)下获得的SEU在轨错误率误差小于2倍,运用MBIST方法可以方便、准确地用于评估ASIC的存储器SEU性能指标.
[Abstract]:In this paper, a single particle flip set (SEU) detection method for ASIC internal memory based on memory built in self-test (MBIST) is proposed. The statistical scheme of single particle effective radiation flux of MBIST is studied and developed. Finally, the method is applied to the heavy ion accelerator to verify the single-particle test. The results are compared with the SEU results of the same structure memory. MBIST under the effective irradiation flux of 1.27E 7icons / cm ~ 2). The error of in-orbit error of SEU with memory is less than 2 times under the standard irradiation flux of 1E 7icons / cm ~ 2. It is convenient to use MBIST method. Accurately used to evaluate the memory SEU performance of ASIC.
【作者单位】： 北京微电子技术研究所;
【分类号】：TN492;TP333
【正文快照】： 1引言空间中运行的集成电路容易受到单粒子效应的影响,集成电路内部的存储单元是单粒子效应敏感单元,容易受单粒子效应影响而产生单粒子翻转(SEU)[1-2].卫星上使用的可编程逻辑门阵列(FP-GA)由于内部存储单元多,单粒子翻转效应明显,严重时导致电路功能中断失效,威胁空间飞行器，

本文编号：1401331