快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

发布时间：2018-01-10 05:19

  本文关键词：快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法　出处：《固体电子学研究与进展》2014年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。
[Abstract]:In flash memory, the leakage of polysilicon floating gate, the interference between memory cells, and the long-term programming erasure will cause the threshold voltage of memory cell to drift. It is more and more difficult to plan the threshold voltage distribution of flash memory using multilevel technology. In order to solve this problem, a reading method for threshold voltage distribution of flash memory is proposed. This method can accurately measure the threshold voltage distribution of flash memory and provide a reference for the design of threshold voltage distribution planning and programming erasure algorithm of flash memory.
【作者单位】： 清华大学微电子学研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61106102)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 引言快闪存储器(Flash memory)作为现今一种主流的存储介质,具有高密度、高速块擦除、低成本等优点,被广泛运用于各类数码产品。多电平(Multi-levelcell,MLC)技术[1-5]是快闪存储器发展的一个重要趋势,该技术将快闪存储器的阈值电压分为多个区域,使单个存储单元能够实现多比

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本文编号：1404010