一种改善三栅分栅快闪存储器耐久性能的方法

发布时间：2018-01-11 14:34

本文关键词：一种改善三栅分栅快闪存储器耐久性能的方法　出处：《半导体技术》2015年10期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：基于三栅分栅闪存在擦除操作F-N隧穿停止时界面电场恒定的特性,提出一种动态擦除电压模型,该模型基于稳定循环操作后浮栅电位的理念,通过实时可监测的浮栅电位值来动态调节闪存器件擦除操作的工作电压,提升了三栅分栅闪存器件的耐久特性。从实际监测数据可以看出,为保持稳定的浮栅电位,浮栅擦除操作电压随着编程/擦除循环次数先快速增加,并在循环10 000次后逐渐趋于饱和。相对于传统的恒擦除电压方式,通过这种新的动态擦除电压方式,器件在经过100 000次循环编程/擦除后阈值电压的漂移从原始1.2 V降低为小于0.4 V,优化了器件耐久性的工作窗口约0.8 V。
[Abstract]:This paper presents a dynamic erase voltage model based on the characteristics of constant interface electric field during erase operation of F - N tunneling . The model is based on the concept of floating gate potential after steady circulation operation , which is based on the concept of floating gate potential which can be monitored in real time . As a result , the erase operation voltage of floating gate increases rapidly with the number of programming / erase cycles . Compared with the traditional constant erase voltage mode , the threshold voltage drift decreases from the original 1.2 V to less than 0.4 V after 100 000 cycles of programming / erase , and the working window with optimized device durability is about 0.8 V .

【作者单位】：上海华虹宏力半导体制造有限公司;
【基金】：上海市青年科技启明星计划(B类)(14QB1402200)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 0引言在被广泛应用于档案存储以前,闪存存储器件的编程/擦除耐久性能需要得到有效的改善。在多次循环编程/擦除高电场的应力作用下,隧穿氧化物会产生陷阱电荷,这些陷阱电荷反过来影响器件的工作特性[1-3],成为影响闪存存储器可靠性的主要因素。因此,优化存储单元工作条件或隧

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