阻变存储器RESET机制温度依赖研究
本文关键词：阻变存储器RESET机制温度依赖研究 出处：《复旦大学》2012年硕士论文 论文类型：学位论文
【摘要】：智能手机和平板电脑的高速发展使得高速、大容量的非挥发存储器需求提高,而Flash因为操作电压高,读写速度不快而且Scaling将要到达极限将不能满足未来的要求。目前研究人员正在开发的新型非挥发存储器主要有铁电存储器(FeRAM),磁存储器(MRAM),相变存储器(PRAM, PCRAM)以及阻变存储器(RRAM)。 阻变存储器(Resistance switching RAM)具备操作电压低,操作时间短,单元面积小等优点；基于金属氧化物的阻变存储器由于其结构简单、与逻辑工艺兼容等优点,被认为是最具潜力的下一代非挥发存储技术。由于阻变存储器的巨大潜力,其日益引起人们的重视。在对阻变存储器的阻变机制研究方面,导电细丝理论是最为广泛接受的,但导电细丝的生长和断裂具体的物理过程仍不明确。 本文研究了基于原子层淀积生长的NbAlO薄膜的阻变存储器和基于原子层淀积生长的HfAlO薄膜的阻变存储器的材料特性,测量了其在低温下的电学特性。在实验的基础上,基于导电细丝理论,分析了焦耳热和电荷陷阱捕获对于RRAM RESET过程的影响,认为电荷陷阱在导电细丝的形成中起到重要的作用。然后是对全文工作的总结。
[Abstract]:The rapid development of intelligent mobile phone and tablet computer has high speed, large capacity non-volatile memory demand increased, while the Flash because of high operating voltage, read and write speed and Scaling will reach the limit will not meet the requirements of the future. The new non-volatile memory currently researchers are developing mainly in ferroelectric memory (FeRAM), magnetic memory (MRAM), phase change memory (PRAM, PCRAM) and resistive random access memory (RRAM).
RRAM (Resistance switching RAM) with low voltage operation, short operation time, has the advantages of small unit size; metal oxide based resistive memory because of its simple structure, with the advantages of logic compatible, was considered to be the most promising next-generation nonvolatile memory technology. Because of the great potential of RRAM and it has attracted people's attention. The study on Mechanism of RRAM resistance, conductive filament theory is one of the most widely accepted, but the physical process of growth and rupture of conductive filaments of the concrete is not clear.
This paper studied the material properties of NbAlO thin films grown by atomic layer deposition based resistive memory and memory HfAlO atomic layer deposition of thin film growth based on resistance, in the low temperature electrical characteristics are measured. On the basis of experiments, the conductive filaments based on the theory analysis of Joule heat and charge trap for RRAM RESET the charge trap plays an important role in the formation of conducting filaments. Then is a summary of the whole work.
【学位授予单位】：复旦大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2012
【分类号】：TP333
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