一种多通道NAND Flash阵列的坏块管理方案

发布时间：2018-02-21 19:10

  本文关键词： 大容量存储 坏块管理 二分法 NAND Flash阵列 FRAM　出处：《电子器件》2014年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间,同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。
[Abstract]:According to the reliability requirement of multi-channel NAND Flash array, a bad block management scheme is proposed to optimize the storage and query of bad block information. The bad block and replacement block address mapping table is stored in FRAM. The scheme can realize the bad block management of multi-channel NAND Flash array, and ensure the reliability of storage. The optimized bad block table and query method can shorten the bad block query time and save the effective block address mapping time. At the same time, the ferroelectric effect of FRAM can be achieved. The reliability of data storage is further improved.
【作者单位】： 西安邮电大学电子工程学院;西安奇维科技股份有限公司研发中心;
【基金】：西安市科技计划基金项目(CXY1117[5])
【分类号】：TP333

【参考文献】

相关期刊论文 前1条

1 贾源泉;肖侬;赖明澈;欧洋;;基于NAND FLASH的多路并行存储系统中坏块策略的研究[J];计算机研究与发展;2012年S1期

【共引文献】

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【二级参考文献】

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5 文q，

本文编号：1522647