铁电存储单元单粒子翻转机理仿真研究

发布时间：2018-02-26 13:40

  本文关键词： 铁电存储单元 铁电存储器 单粒子翻转 电路仿真　出处：《微电子学与计算机》2015年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用电路仿真的方法对铁电存储单元中不同电路节点的单粒子效应敏感性进行了研究,分析了铁电存储单元发生单粒子翻转的机理.仿真结果表明,铁电存储单元的单粒子翻转效应与铁电电容的极化状态有关.当单粒子入射阵列中截止态NMOS管时,只会造成存"0"铁电电容的极化翻转;板线上的单粒子瞬态脉冲对存储数据无影响.根据2T2C和1T1C型铁电存储单元的读出方式,分别分析了可能发生的数据翻转类型.提出了铁电存储单元抗单粒子翻转的加固措施.
[Abstract]:The sensitivity of single particle effect of different circuit nodes in ferroelectric memory cell is studied by circuit simulation, and the mechanism of single particle flip in ferroelectric memory cell is analyzed. The simulation results show that, The single-particle flip effect of the ferroelectric memory cell is related to the polarization state of the ferroelectric capacitance. When the cutoff state of the NMOS transistor in the single-particle incident array is cut off, the polarization flip of the "0" ferroelectric capacitance is only caused. The single particle transient pulse on the plate line has no effect on the storage data. According to the readout modes of 2T2C and 1T1C ferroelectric storage cells, the possible data turnover types are analyzed, and the reinforcement measures against single particle flipping of ferroelectric storage cells are put forward.
【作者单位】： 电子科技大学微电子与固体电子学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【分类号】：TP333

【共引文献】

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本文编号：1538264