静态存储器多比特翻转的概率失效模型

发布时间：2018-03-06 01:14

  本文选题：多比特翻转　切入点：静态存储器　出处：《微电子学与计算机》2014年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：针对静态存储器出现的多比特翻转,提出了一种软错误失效模型.以"生日重合"理论作为多比特失效统计的基础,将常用加固方式纠错码和周期刷新作为分析条件得到累积错误和非累积错误的概率失效模型.前者为相同容量存储器的不同字长结构提供了失效概率的数值分析,并为实际测试结果提供了一个理论参考;后者量化了刷新周期的选取对于误码率改善程度.仿真结果显示90nm体硅工艺下,累积错误模型与低能量质子测试结果相符合;非累积错误模型分析的刷新周期略高于实际结果.
[Abstract]:In this paper, a soft error failure model is proposed for multi-bit flipping in static memory. The theory of "birthday coincidence" is used as the basis of multi-bit failure statistics. The probabilistic failure models of accumulative errors and non-cumulative errors are obtained under the condition of error correction codes and periodic refreshes, which provide numerical analysis of failure probability for different word-length structures of the same capacity memory. It also provides a theoretical reference for the actual test results, which quantifies the improvement degree of bit error rate in the selection of refresh period. The simulation results show that the cumulative error model is consistent with the low energy proton test results in 90 nm bulk silicon technology. The refresh period of the non-cumulative error model analysis is slightly higher than the actual result.
【作者单位】： 电子科技大学电子科学技术研究院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61101033)
【分类号】：TP333

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