商用Flash器件在空间应用中温变规律的实验研究

发布时间：2018-03-11 16:08

  本文选题：空间电子　切入点：Flash存储器　出处：《红外与激光工程》2015年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：分析了工业级Flash存储器件应用于空间电子产品时应考虑的温变规律和机理,并在-35~105℃的温度条件下对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器件K9××G08U×D系列进行了温循试验和高温步进应力试验,以评估其空间应用的可行性。试验结果显示:这一系列存储器在温度变化的情况下,电性能参数会发生规律性变化,其中页编程时间随温度的升高线性增大,105℃比-35℃时页编程时间增加15%;块擦除时间在低温条件下明显增大。在-35℃低温条件下,块擦除时间比常温条件高出72%,在105℃高温条件下,块擦除时间比常温条件高出10%。试验表明Flash K9××G08U×D系列存储器能够在-35~105℃的环境下工作,器件可正常擦写读,坏块没有增加。页编程时间随着温度的增加而增加,但是,仍然在器件的最大页编程时间之内。但是,在低温环境下,擦除时间会明显增加,在空间应用时需为擦除操作预留足够的时间。
[Abstract]:The temperature variation law and mechanism should be considered when the industrial Flash memory device is applied to space electronic products. Temperature following test and high temperature step stress test of K9 脳 G08U 脳 D series of large capacity Flash memory devices produced by Samsung Co., Korea were carried out at -35 鈩，

本文编号：1598894