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电子安全系统强静电干扰下的单片机防护方法

发布时间:2018-03-17 05:32

  本文选题:电子安全系统 切入点:静电干扰 出处:《探测与控制学报》2015年02期  论文类型:期刊论文


【摘要】:针对电子安全系统高压储能电容产生的强静电场干扰单片机正常工作的问题,提出了电子安全系统强静电场干扰下的单片机防护方法。通过利用ANSYS软件根据实际脉冲电流流经回路进行等效建模并仿真,得到了特定加载电压下电容在三维空间的静电场分布。根据单片机承受耦合电压阈值以及仿真分析结果,给出在该静电场中单片机器件相对于高压储能电容的倾斜角度控制范围,从而确保单片机不会因耦合电压过大而受到干扰甚至损坏,为指导实际电路设计和装配方法提供了依据,为电子安全系统工作稳定性和安全性以及进一步小型化发展提供参考。
[Abstract]:In view of high voltage storage capacitor electronic security system generated strong static electric field interference the normal work of the SCM, SCM protection method put forward the electronic security system under the interference of strong static electric field. By using ANSYS software according to the actual current pulse equivalent modeling and simulation loop to get the static load voltage under specific capacitance in three-dimensional space field according to the distribution. Under SCM coupling voltage threshold and the simulation results are given, the MCU in the electrostatic field device relative to the tilt angle of high voltage storage capacitor control range, so as to ensure the MCU will not because of the coupling voltage is too large and interference or damage, provide a basis to guide the actual circuit design and assembly method, provide a reference for stability and the security of electronic security system and further miniaturization.

【作者单位】: 机电动态控制重点实验室;
【分类号】:TN972;TP368.12

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号:1623399

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