深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术

发布时间：2018-04-02 05:32

  本文选题：静电放电(ESD)　切入点：可编程只读存储器(PROM)　出处：《电子器件》2014年04期

【摘要】：从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。
[Abstract]:From the point of view of full chip, adopting multi-power ESD architecture and full-chip ESD design to provide all-around ESD protection to the whole chip, this paper introduces the ESD design technology of large capacity PROM chip based on 0.18 渭 m CMOS process design. At the same time, the ESD design technology of large capacity PROM chip based on 0.18 渭 m CMOS process is introduced. Through the ESD reinforcement design of the high-voltage programming pin, the overall anti-#en1# capability of the chip is improved. The final product ESD test meets the requirements of the project.
【作者单位】： 深圳市国微电子股份有限公司;
【分类号】：TP333

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本文编号：1699018