Flash存储器下的显示数据差错控制

发布时间：2018-04-10 15:04

本文选题：嵌入式系统 + 误码率　；参考：《液晶与显示》2015年04期

【摘要】：Flash存储器常作为嵌入式大屏幕显示系统的显示信息存储设备,然而Flash存储器在使用时会存在诸如位反转等读写操作出错的问题,给系统的正常显示控制带来隐患。对Flash存储器存储误码率进行了分析,并结合显示数据存取的特点,设计了差错控制编码来实现Flash存储器下的显示数据差错控制。结合嵌入式控制系统的特点,设计了一种基于(31,26)循环汉明码编译码电路,在实际应用中可以将误码率降低至少1个数量级以上,提升了数据存储器抗突发干扰和随机干扰的能力,同时具有较低的设计复杂度。
[Abstract]:Flash memory is often used as the display information storage device of embedded large screen display system. However, when Flash memory is used, there will be problems such as bit inversion and other reading and writing errors, which will bring hidden trouble to the normal display control of the system.The bit error rate (BER) of Flash memory is analyzed, and the error control coding is designed to realize the error control of display data under Flash memory combined with the characteristics of display data access.According to the characteristics of embedded control system, this paper designs a circuit for encoding and decoding the hamming code based on the X31B26). In practical application, the BER can be reduced by at least one order of magnitude, and the BER can be reduced by more than one order of magnitude.The ability of data memory to resist burst interference and random interference is improved, and the design complexity is low.
【作者单位】：电子科技大学中山学院;电子科技大学自动化工程学院;电子科技大学计算机科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(No.61302115) 广东省自然科学基金(No.S2013010015764) 广东省高等学校优秀青年教师培养计划项目(No.Yq2013204) 中山市产学研结合项目(No.2013C2FC0014) 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室开放基金(No.412S0605)
【分类号】：TP333

【参考文献】