高精度SRAM端口时序参数测量电路的设计与实现

发布时间：2018-04-22 00:09

  本文选题：时序参数测量 + 建立/保持时间　； 参考：《微电子学与计算机》2016年07期

【摘要】：对一种普通的数字时间转换器(Digital-to-Time Converter,DTC)进行了改进,能实现对输入信号延时的两级调节,一级粗调,一级精调,在SMIC 130nm工艺下,调节范围为0~2.0ns,调节精度达到5ps,同时减少了一半的面积,优化了结构的非线性误差.利用改进后的DTC结构,设计了两种测量方案,分别实现了对SRAM输入端口的建立时间、保持时间及输出端口的数据读取时间的测量.仿真结果表明,该电路对SRAM各个端口时序参数测量的误差小于3.33%.
[Abstract]:In this paper, a general digital time converter, Digital-to-Time converter (DTCs), is improved. It can realize two-stage adjustment of input signal delay, one stage coarse tuning and one stage fine tuning. In SMIC 130nm technology, the input time delay can be adjusted at the same time. The adjusting range is 0 ~ 2. 0 ns, the adjusting precision is 5 ps. at the same time, the area is reduced by half, and the nonlinear error of the structure is optimized. Using the improved DTC structure, two kinds of measurement schemes are designed to measure the establishment time, the retention time and the data reading time of the SRAM input port respectively. The simulation results show that the error of the circuit for measuring the timing parameters of SRAM ports is less than 3.33.
【作者单位】： 上海交通大学微电子学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61176037)
【分类号】：TP333

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本文编号：1784714