SONOS存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究
本文选题：SONOS + RCA ； 参考：《微电子学》2014年06期
【摘要】：介绍了当今业界流行的两种隧穿氧化层淀积预清洗工艺:改进的RCA预清洗工艺以及HF-last预清洗工艺。通过实验对比各自优缺点,分析差异产生的根本原因。相对于改进的RCA预清洗工艺,HF-last预清洗工艺使SONOS存储器阈值电压窗口增大约600mV。但可靠性测试结果表明,HF-last工艺会降低器件的耐烘烤和耐擦写循环能力。进一步的电荷泵对比实验结果表明,HF-last工艺引起的耐烘烤和耐擦写循环能力的降低,分别由Si-SiO2界面态增加和隧穿氧化层变薄引起。
[Abstract]:This paper introduces two kinds of tunneling oxide deposition precleaning processes: improved RCA precleaning process and HF-last precleaning process. By comparing the advantages and disadvantages of the experiment, the root cause of the difference is analyzed. Compared with the improved RCA pre-cleaning process, the HF-last pre-cleaning process increases the threshold voltage window of SONOS memory by about 600mV. However, the reliability test results show that the HF-last process can reduce the roasting resistance and scratch resistance of the device. The experimental results of further charge pump comparison show that the decrease of roasting resistance and scratch resistance caused by HF-last process is caused by the increase of Si-SiO2 interface state and the thinning of the tunneling oxide layer, respectively.
【作者单位】： 华东师范大学;上海华虹宏力半导体制造有限公司;
【基金】：国家自然科学基金青年基金资助项目(61204038)
【分类号】：TP333
【参考文献】
相关期刊论文 前1条
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【共引文献】
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，本文编号：1826561
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