影响非易失性内存系统性能的因素分析

发布时间：2018-05-08 12:42

  本文选题：非易失性存储器 + 内存系统　； 参考：《计算机研究与发展》2014年S1期

【摘要】：新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)具有扩展性好、静态能耗低、非易失性等特点,基于NVM的内存系统有望在未来补充甚至替代DRAM内存.但是NVM写延迟较长、写耐久性有限、动态写能耗高的问题,对NVM的实际应用产生了挑战.NVM内存系统如何影响应用程序,哪些因素会影响NVM内存系统的性能,是一个值得研究的问题.初步评测了NVM内存系统的性能,所提出的NVM内存包括两种:一种是只有NVM的内存(NVM-only memory);另一种是DRAM/NVM构成的混合内存.同时对比了NVM内存与DRAM内存的性能,分析了影响NVM内存系统的因素.最后,讨论了NVM内存系统研究的未来工作.
[Abstract]:The new non-volatile memory (NVM) has the characteristics of good expansibility, low static energy consumption and non-volatile, etc. It is expected that the memory system based on NVM will supplement or even replace DRAM memory in the future. However, the problems of long write delay, limited write durability and high dynamic write energy consumption have challenged the practical application of NVM. How to affect the application program and what factors will affect the performance of NVM memory system. It is a problem worth studying. The performance of NVM memory system is preliminarily evaluated. The proposed NVM memory includes two types: one is NVM-only memory with only NVM and the other is hybrid memory composed of DRAM/NVM. At the same time, the performance of NVM memory and DRAM memory is compared, and the factors affecting NVM memory system are analyzed. Finally, the future work of NVM memory system research is discussed.
【作者单位】： 中国科学院计算技术研究所;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金项目(61379042,61221062) 国家“九七三”高技术研究发展计划基金项目(2011CB302502) 华为研究项目(YB2013090048) 中国科学院战略性先导专项课题(XDA06010401)
【分类号】：TP333

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本文编号：1861451