卫星用典型SRAM存储器空间辐射效应及模拟试验方法研究

发布时间：2018-05-11 07:28

  本文选题：SRAM存储器 + 电离总剂量效应　； 参考：《上海交通大学》2013年硕士论文

【摘要】：SRAM存储器是卫星电子系统的核心部件,开展SRAM存储器的空间辐射效应研究及抗辐射性能评估对于保证卫星在轨可靠运行具有重要意义。而国内现有方法一般只能对SRAM存储器的抗辐射性能作出定性判断,较难单独研究SRAM存储器的空间辐射效应规律,并且存在效应测量方法不统一、失效评判依据各异等问题,较难满足SRAM存储器的抗辐射性能评估对试验方法的需求。 本文通过测量60Coγ射线辐照和辐照后加速退火条件下SRAM存储器典型直流参数、交流参数及功能参数变化情况,研究了SRAM存储器的电离总剂量效应规律,选取了存储数据逻辑状态出错(WW≠0)、电源电流作为SRAM存储器的电离总剂量效应敏感参数；以重离子加速器为辐射源,测量了不同LET的重离子辐照下体硅和SOI工艺SRAM存储器的单粒子翻转效应,得到了器件的σ～LET曲线,并预估了两种轨道下器件的空间单粒子翻转率。在以上研究基础上,建立了SRAM存储器的空间辐射效应模拟试验方法。 研究结果已经应用到八院院标《Q/RJ×××-2012宇航用微型计算机与存储器单粒子效应试验方法》中,该标准对SRAM存储器单粒子效应模拟试验的条件和程序给予了详细规定。
[Abstract]:The SRAM memory is the core component of the satellite electronic system . The research on the space radiation effect of SRAM memory and the evaluation of anti - radiation performance are of great significance to ensure the reliable operation of the satellite .

In this paper , by measuring the typical DC parameters , AC parameters and function parameters of SRAM memory under the condition of accelerated annealing after 60 Co 纬 - ray irradiation and irradiation , the regularity of total ionization dose effect of SRAM memory is studied , the error of memory data logic state ( WW 鈮，

本文编号：1872990