基于逻辑区间热度的NAND闪存垃圾回收算法
本文选题:NAND闪存 + 磨损均衡 ; 参考:《计算机应用》2017年04期
【摘要】:针对现有的NAND闪存垃圾回收算法中回收性能不高,磨损均衡效果差,并且算法内存开销大的问题,提出了一种基于逻辑区间热度的垃圾回收算法。该算法重新定义了热度计算公式,把连续逻辑地址的NAND内存定义为一个热度区间,以逻辑区间的热度来代替逻辑页的热度,并将不同热度的数据分开存储到不同擦除次数的闪存块上,有效地实现了数据冷热分离,并且节约了内存空间。同时,算法还构造了一种新的回收代价函数来选择回收块,在考虑回收效率的同时,还兼顾了磨损均衡的问题。实验结果表明,该算法与性能优异的FaGC算法相比,总的擦除次数减少了11%,总的拷贝次数减少了13%,擦次数最大差值减少了42%,内存消耗能减少了75%。因此,该算法有利于增加闪存可用空间,改善闪存系统的读写性能,延长闪存使用寿命。
[Abstract]:A garbage collection algorithm based on the heat of logic interval is proposed to solve the problems of poor recovery performance, poor wear equalization effect and large memory overhead in existing NAND flash garbage collection algorithms. The algorithm redefines the heat calculation formula, defines the NAND memory of the continuous logical address as a heat interval, and replaces the heat of the logical page with the heat of the logical interval. The data with different heat are stored separately on the flash memory block with different erasure times, which realizes the separation of heat and cold effectively and saves the memory space. At the same time, a new recovery cost function is constructed to select the recovery block, which takes into account the problem of wear balance while considering the recovery efficiency. The experimental results show that compared with the FaGC algorithm with excellent performance, the total erasure number is reduced by 11%, the total copy number is reduced by 13%, the maximum erasure difference is reduced by 42%, and the memory consumption is reduced by 75%. Therefore, the algorithm can increase the available space of flash memory, improve the read and write performance of flash memory system, and prolong the service life of flash memory.
【作者单位】: 四川大学电子信息学院;
【基金】:国家自然科学基金资助项目(61172181)~~
【分类号】:TP333
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 汉泽西;吕飞;;大容量NAND Flash在嵌入式系统中的应用[J];石油仪器;2006年01期
2 编辑部;;成长强劲的NAND Flash产业[J];电子与电脑;2006年11期
3 ;NAND一季度表现糟糕[J];电子产品世界;2007年07期
4 江兴;;三星NAND闪存龙头地位牢固[J];半导体信息;2008年03期
5 ;NAND闪存闪现光芒,今年营业收入有望大增[J];今日电子;2013年07期
6 ;云应用导致NAND闪存需求下降[J];电子产品世界;2013年12期
7 羽冬;;东芝推出多芯片封装NAND闪存[J];半导体信息;2004年05期
8 羽冬;;Chip Enable Don't Care的NAND闪存[J];半导体信息;2004年01期
9 任萍;嵌入式NAND Flash稳步起飞[J];电子与电脑;2005年05期
10 马丰玺;杨斌;卫洪春;;非易失存储器NAND Flash及其在嵌入式系统中的应用[J];计算机技术与发展;2007年01期
相关会议论文 前5条
1 ;Design and Implement NAND FLASH Data Storage System Based on the ARM[A];全国数字媒体技术专业建设与人才培养研讨会论文集[C];2011年
2 赵忠文;王魁;;基于NAND Flash的高速大容量固态记录器设计[A];全国第三届信号和智能信息处理与应用学术交流会专刊[C];2009年
3 肖珂;郭永超;郭书军;;基于MTD的NAND Flash驱动开发[A];2010通信理论与技术新发展——第十五届全国青年通信学术会议论文集(上册)[C];2010年
4 雷磊;谢民;李先楚;;基于NAND型Flash的海量存储板的设计与实现[A];全国第二届嵌入式技术联合学术会议论文集[C];2007年
5 刘恕;;NAND Flash的ECC分级及其在ATE设备中的测试方法[A];第五届中国测试学术会议论文集[C];2008年
相关重要报纸文章 前10条
1 佳宜;NAND型Flash缺货恐至2005年[N];电子资讯时报;2004年
2 佳宜;NAND型Flash价跌 需求仍看俏[N];电子资讯时报;2004年
3 燕蕙;休虑NAND型 Flash价跌[N];电子资讯时报;2004年
4 怡均;NAND型Flash难止跌[N];电子资讯时报;2004年
5 ;NAND闪存吃紧[N];计算机世界;2005年
6 周悟;NAND闪存大战在即[N];计算机世界;2005年
7 吴宗翰 DigiTimes 专稿;茂德将于12英寸厂投产NAND Flash[N];电子资讯时报;2006年
8 吴宗翰 DigiTimes;三星、海力士、美光全靠拢NAND Flash[N];电子资讯时报;2006年
9 连于慧/DigiTimes;NAND Flash价格压力沉重 恐再现跌势[N];电子资讯时报;2006年
10 连于慧 DigiTimes;NAND Flash报价跌 厂商大打容量消耗战[N];电子资讯时报;2006年
相关博士学位论文 前5条
1 李江鹏;提高NAND型闪存使用寿命的数字信号处理方法研究[D];上海交通大学;2014年
2 黄敏;提高MLC NAND Flash存储系统可靠性的方法研究[D];哈尔滨工业大学;2016年
3 魏德宝;基于错误特征的NAND Flash存储策略研究[D];哈尔滨工业大学;2016年
4 徐永刚;基于NAND Flash的嵌入式图像记录技术[D];中国科学院研究生院(光电技术研究所);2013年
5 孙辉;NAND固态盘有限编程/擦除次数的评测模型及优化方法[D];华中科技大学;2014年
相关硕士学位论文 前10条
1 丁德红;嵌入式系统中大页NAND Flash应用研究[D];吉林大学;2008年
2 郑帅;NAND Flash主机接口控制器技术研究[D];华南理工大学;2015年
3 张鹏;NAND Flash坏块管理算法研究与实现[D];哈尔滨工业大学;2015年
4 李雪峰;基于自主CPU的NAND启动的实现[D];北京工业大学;2015年
5 周天伟;NAND闪存的软硬判决纠错码应用研究[D];西安电子科技大学;2014年
6 周仕成;基于NAND FLASH高速海量存储系统的设计[D];上海交通大学;2015年
7 江旭东;基于NAND Flash阵列的高速大容量图像存储器设计[D];中北大学;2016年
8 张云鹏;一种基于虚拟分区页映射的闪存FTL设计[D];安徽大学;2016年
9 张蓉;支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash控制器设计[D];华中科技大学;2014年
10 王举利;eMMC存储系统的闪存转换层研究与设计[D];天津工业大学;2016年
,本文编号:1873607
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/1873607.html