累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究

发布时间：2018-05-29 01:13

  本文选题：累积剂量 + 单粒子效应　； 参考：《物理学报》2014年01期

【摘要】：本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.
[Abstract]:In this paper, 60Co 纬 source and Lanzhou heavy ion accelerator are used to study the single particle effect sensitivity of static random access memory (SRAM) at different accumulative doses. The variation trend of single particle effect sensitivity of SRAM devices under different accumulative doses is obtained. The mechanism of radiation damage was analyzed. It is shown that with the increase of cumulative dose, the leakage current of SRAM devices increases, which affects the parameters such as the low level holding voltage of memory cell and the time of high level drop, which leads to the "reverse imprint effect". The results provide technical support for reliability analysis of aerospace devices in space radiation environment.
【作者单位】： 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西北核技术研究所;中国科学院新疆理化技术研究所;电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金】：电子薄膜与集成器件国家重点实验室(批准号:KFJJ201306)资助的课题~~
【分类号】：TP333

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本文编号：1948925