阻变存储阵列的自动化测试系统

发布时间：2018-05-30 20:22

  本文选题：阻变存储(RRAM)阵列 + 半导体参数分析仪　； 参考：《半导体技术》2017年12期

【摘要】：阻变存储器(RRAM)是一种新型的不挥发存储技术,研究阻变存储器阵列规模的存储性能以及可靠性问题是推进RRAM实用化的关键。目前通用的基于微控探针台的半导体参数分析的常规测量系统无法完成对阵列的自动化测试。利用半导体参数分析仪(4200-SCS)、开关矩阵以及相关外围电路搭建了一套针对阻变存储阵列的自动测试系统,实现了1Mbit RRAM芯片的初始阻态分布的读取、初始化测试、存储单元的自动化编程/擦除操作。测试结果表明,该测试系统可以实现阻变存储阵列的自动化测试,为进一步工艺参数和编程算法的优化设计奠定基础。
[Abstract]:Resistive memory (RRAM) is a new kind of nonvolatile memory technology. The research on storage performance and reliability of resistive memory array is the key to promote the practicality of RRAM. At present, the conventional measurement system based on microcontrol probe table for semiconductor parameter analysis can not complete the automatic testing of the array. A set of automatic test system for resistive memory array is built by using semiconductor parameter analyzer 4200-SCS, switch matrix and related peripheral circuits. The initial resistance distribution of 1Mbit RRAM chip is read and initialized. Automatic programming / erasure of memory units. The test results show that the test system can realize the automatic test of the resistive memory array and lay a foundation for the optimization design of further process parameters and programming algorithms.
【作者单位】： 北京信息科技大学信息与通信工程学院;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61522408)
【分类号】：TP333

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本文编号：1956659