具备高存储密度的新型NAND设备管理方案

发布时间：2018-06-03 15:36

  本文选题：NAND + 错误纠正码　； 参考：《计算机应用》2014年08期

【摘要】：针对嵌入式系统中NAND设备存储密度较低的问题,提出一种高存储密度的新型设备管理方案。通过研究大量NAND存储结构和BCH校验编码设计,在页面中找到一种通用的信息存储结构模式。使得冗余区(OOD)编码满足错误纠正码(ECC)纠错能力的同时可容纳设备分区管理信息,从而将主页面全部用于数据存储,并以此为基础进行了设备读写、损益均衡机制的设计。实验结果表明,所提方案中NAND设备数据存储密度可达98%,优于当前多数主流文件系统。该方案具备很高的数据存储密度,设备读写效率和擦写寿命相对稳定,在嵌入式系统平台中具备很好的应用优势。
[Abstract]:Aiming at the problem of low storage density of NAND devices in embedded systems, a new device management scheme with high storage density is proposed. By studying a large number of NAND storage structures and BCH verification coding design, a general information storage structure pattern is found in the page. The redundant OODO code can satisfy the error-correcting capability of error correction code (Ecc) and can accommodate the equipment partition management information, so that the main page can be used for data storage. Based on this, the device reading and writing mechanism and the profit and loss equalization mechanism are designed. The experimental results show that the data storage density of NAND devices in the proposed scheme is up to 98, which is superior to most of the current mainstream file systems. This scheme has high data storage density, stable device reading and writing efficiency and writing lifetime, and has a good application advantage in embedded system platform.
【作者单位】： 合肥师范学院计算机科学与技术系;安徽大学计算机科学与技术学院;计算智能与信号处理教育部重点实验室(安徽大学);
【基金】：安徽省高校省级自然科学研究重点项目(KJ2013A217) 安徽省优秀青年人才基金资助项目(2011SQRL020ZD)
【分类号】：TP333

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本文编号：1973291