一种MLC闪存存储系统的比特翻转译码算法

发布时间：2018-06-05 14:53

  本文选题：多级存储单元 + 低密度奇偶校验码　； 参考：《西安电子科技大学学报》2017年05期

【摘要】：随着多级存储单元比特存储密度的增加,单元间干扰成为影响闪存可靠性的主要因素.针对这种情况,在深入分析多级存储单元内部数据存储信道错误规律的基础上,设计了多级存储单元闪存译码的比特翻转规则,提出了一种适用于多级存储单元闪存的改进型比特翻转译码算法.仿真结果表明,在相同的感知精度时,所提出的多级存储单元闪存比特翻转算法的译码性能优于多级存储单元闪存比特翻转译码算法的性能,而且多级存储单元闪存的改进型比特翻转译码算法可有效减少译码的平均迭代次数,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折中.
[Abstract]:With the increase of multilevel memory cell bit storage density, inter-cell interference (ISI) becomes the main factor that affects the reliability of flash memory. In view of this situation, on the basis of deeply analyzing the error rule of data storage channel inside multistage memory cell, the bit flipping rule of multi-stage memory cell flash decoding is designed. An improved bit flip decoding algorithm for multilevel memory flash memory is proposed. The simulation results show that the decoding performance of the proposed multi-level memory cell flash bit flipping algorithm is better than that of the multi-stage memory cell flash bit flip decoding algorithm with the same perceptual precision. Moreover, the improved bit flip decoding algorithm with multi-level memory flash memory can effectively reduce the average number of iterations of decoding, thus achieving a good compromise between decoding complexity and performance.
【作者单位】： 西安电子科技大学计算机学院;西安理工大学高等技术学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61271004,61471286)
【分类号】：TP333

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本文编号：1982372