基于PCRAM主存系统的访问机制

发布时间：2018-06-14 12:53

  本文选题：相变随机访问存储器 + 主存系统　； 参考：《微电子学与计算机》2014年01期

【摘要】：随着基于DRAM主存系统功耗的不断上升,相变随机访问存储器(PCRAM)凭借其高密度、低功耗、非易失等优点,将成为下一代最有潜力的主存技术.然而,PCRAM的写操作具有寿命有限和写入能耗、延时较大的特点,限制了其在主存系统中的应用.为了延长主存系统的使用寿命并减少写入能耗,采用写前读技术设计了一种基于异或的数据并行机制.实验结果表明,经过该机制处理,与传统的Data Comparison Write和Flip-N-Write机制相比,写寿命分别延长38%和19%,写入能耗分别减少28%和17%.
[Abstract]:With the increasing power consumption of DRAM-based main memory system, PCRAM (Phase change Random access memory) will become the most potential main memory technology of the next generation due to its advantages of high density, low power consumption, non-volatile and so on. However, the write operation of PCRAM has the characteristics of limited life, writing energy consumption and long time delay, which limits its application in the main memory system. In order to prolong the service life of the main memory system and reduce the write energy consumption, a parallel data mechanism based on XOR is designed by using the pre-write reading technology. The experimental results show that compared with the traditional data comparison write and Flip-N-Write mechanisms, the write life is increased by 38% and 19%, and the write energy consumption is reduced by 28% and 17%, respectively.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;
【基金】：中国科学院战略性先导科技专项(XDA06020400) 国家重大科技专项(2012zx03005007)
【分类号】：TP333

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本文编号：2017454