NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究

发布时间：2018-06-16 05:35

  本文选题：NAND型Flash存储器 + 总剂量效应　； 参考：《原子能科学技术》2014年08期

【摘要】：针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。
[Abstract]:The experiments of total dose effect under different irradiation bias and static irradiation of devices with different process sizes have been carried out for four NAND flash memories of Magnesia. The experimental results show that the total dose effect of the device under static and dynamic irradiation bias is similar, but is different from the total dose effect under uncharged irradiation bias. The sensitive parameters of the devices with different process sizes have the same changing trend. Due to the comprehensive influence of other factors, the sensitive parameters do not change monotonously with the process size.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
【分类号】：TP333

【参考文献】

相关期刊论文 前3条

1 贺朝会,耿斌,陈晓华,王燕萍,彭宏论;浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究[J];核电子学与探测技术;2002年04期

2 陈斌;沈卫华;朱岩;梁耀明;陈晓敏;;嫦娥二号卫星大容量存储器设计[J];航天器工程;2011年05期

3 贺朝会,耿斌,杨海亮,陈晓华,李国政,王燕萍;浮栅ROM器件辐射效应机理分析[J];物理学报;2003年09期

【共引文献】

相关期刊论文 前10条

1 王晓玲;张国贤;周昕杰;;EEPROM单元辐射机理研究[J];电子与封装;2010年03期

2 刘张李;邹世昌;张正选;毕大炜;胡志远;俞文杰;陈明;王茹;;浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展[J];功能材料与器件学报;2010年05期

3 范雪;李平;谢小东;李辉;杨志明;丛伟林;;0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究[J];固体电子学研究与进展;2011年01期

4 李豫东;张立国;任建岳;;空间光学遥感器中Flash存储器的辐射效应与加固[J];光学精密工程;2008年10期

5 李豫东;任建岳;金龙旭;张立国;;SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析[J];光学精密工程;2009年04期

6 王俊伟;韩松;;基于uPP接口的嵌入式SAR数据记录技术研究[J];电子测量技术;2013年08期

7 赵又新;;SRAM辐射效应测试装置的研制与应用[J];核电子学与探测技术;2006年04期

8 陈瑞;杨忱;;静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制[J];核电子学与探测技术;2008年06期

9 贺朝会,耿斌,陈晓华,杨海亮;浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究[J];空间科学学报;2002年02期

10 张兴尧;郭旗;张乐情;卢健;吴雪;于新;;Flash存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性[J];核技术;2013年08期

相关会议论文 前1条

1 石晓峰;尹雪梅;李斌;姚若河;;半导体器件的中子辐射效应研究[A];2007'第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2007年

相关博士学位论文 前2条

1 范雪;一种新型反熔丝存储器的研制及其抗辐射加固方法研究[D];电子科技大学;2011年

2 肖志强;SOI器件电离总剂量辐射特性研究[D];电子科技大学;2011年

相关硕士学位论文 前3条

1 楮忠强;单片机系统X射线剂量增强效应研究[D];中国工程物理研究院;2009年

2 王洁;阵列雷达回波模拟器技术研究[D];西安电子科技大学;2013年

3 陈业伟;基于固态硬盘的大容量存储卡设计[D];西安电子科技大学;2013年

【二级参考文献】

相关期刊论文 前10条

1 贺朝会,耿斌,陈晓华,张前美,杨海亮,李国政,刘恩科;pA量级质子束流测量系统[J];核电子学与探测技术;2000年01期

2 贺朝会,陈晓华,李国政,刘恩科,王燕萍,姬林,耿斌,杨海亮;FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究[J];核电子学与探测技术;2000年02期

3 贺朝会,耿斌,王燕萍,杨海亮,张正选,陈晓华,李国政,路秀琴,符长波,赵葵,郭继宇,张新;静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究[J];核电子学与探测技术;2002年02期

4 赵葆常;杨建峰;汶德胜;高伟;常凌颖;薛彬;;嫦娥二号卫星CCD立体相机设计与验证[J];航天器工程;2011年01期

5 贺朝会,耿斌,陈晓华,杨海亮;浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究[J];空间科学学报;2002年02期

6 贺朝会,陈晓华,刘恩科,王燕萍,李国政,耿斌,杨海亮;EEPROM 28C64和28C256的14MeV中子辐照特性[J];微电子学;1999年04期

7 刘寅,朱钧;一种FLASH存储单元的结构及功能分析[J];微电子学;1998年01期

8 王剑屏,徐娜军,张廷庆,汤华莲,刘家璐,刘传洋,姚育娟,彭宏论,何宝平,张正选;金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应[J];物理学报;2000年07期

9 张廷庆,刘传洋,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟;低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应[J];物理学报;2001年12期

10 王晓强,谢二庆,钱秉中,贺德衍,朱智勇,金运范;离子辐照对聚苯乙烯低温导电特性的影响[J];物理学报;2002年05期

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 David Katz,Rick Gentile;32位处理器推动多媒体的发展[J];电子产品世界;2005年03期

2 ;45nm CPU?只有发丝的十万分之一![J];电脑爱好者;2008年12期

3 ;内嵌式MMC迎来曙光[J];中国电子商情(基础电子);2009年07期

4 陈慕羿;;一种冗余容错CORDIC处理器结构[J];科技创新导报;2009年08期

5 刘必慰;陈书明;汪东;;先进微处理器体系结构及其发展趋势[J];计算机应用研究;2007年03期

6 周宏伟;欧国东;齐树波;张民选;;片上二级cache漏流功耗控制策略研究[J];电子学报;2008年08期

7 周宏伟;张民选;;指令cache体系结构级功耗控制策略研究[J];电子学报;2008年11期

8 蔡刚;杨海钢;;嵌入式可编程存储器设计中的“选择性寄存”方法[J];电子与信息学报;2009年11期

9 赵世凡;樊晓桠;李玉发;;基于亚阈值漏电流的数据Cache低功耗控制策略研究[J];计算机测量与控制;2010年03期

10 李宜瑾;凌云;宋志棠;贾晓玲;罗胜钦;;相变存储器中选通二极管的模型与优化[J];功能材料与器件学报;2010年06期

相关会议论文 前2条

1 杨善潮;郭晓强;林东生;陈伟;王桂珍;李瑞宾;白小燕;;深亚微米CMOS随机静态存储器反应堆中子辐射效应实验研究[A];中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第一卷·第7册）[C];2009年

2 赵宗浩;李少青;徐长明;曾艳飞;;一种40nm高速寄存器单元设计[A];第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集（A辑）[C];2011年

相关重要报纸文章 前4条

1 ;关键词[N];电脑报;2005年

2 记者 陈磊;研发新一代存储器,中国在路上[N];科技日报;2008年

3 李洋;稳步前进[N];计算机世界;2008年

4 李壮;纳米技术改变芯片业[N];中国高新技术产业导报;2005年

相关硕士学位论文 前2条

1 黄雪维;SRAM时序信息提取技术研究[D];浙江大学;2010年

2 董婕;高性能通用处理器的可测试性设计研究[D];中国科学院研究生院（计算技术研究所）;2006年

，

本文编号：2025568