铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究

发布时间：2018-06-29 00:19

  本文选题：铁电存储器 + 单粒子效应　； 参考：《原子能科学技术》2017年05期

【摘要】：利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响。研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的。被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面。对FRAM工作时序及不同芯片使能信号(CE)占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系。本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定(SEL)敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模式下由SEL引发的数据翻转情况,发现动态模式下被测器件更易受SEL影响而发生翻转。
[Abstract]:The effect of the working frequency of ferroelectric memory (FRAM) on the single particle inversion (SEU) of pulsed laser microbeam single particle effect (SEE) was studied. The results show that the SEU cross section increases significantly with the decrease of operating frequency, and the flip is caused by the peripheral circuit. The flip cross section of chip 1 / 0 is larger than that of 0 / 1. The analysis of the working timing of FRAM and the SEU cross section under the duty cycle of different chip enable signal (CE) shows that the prolongation of CE effective time due to the decrease of frequency is directly related to the increase of the SEU cross section. At the same time, the sensitivity tests of single particle locking (SEL) for different functional modules of FRAM are carried out, the corresponding threshold energy and saturation cross section of SEL are obtained, and the data flipping induced by SEL in static and dynamic mode is studied. It is found that the device under dynamic mode is more vulnerable to the influence of SEL.
【作者单位】： 湘潭大学材料科学与工程学院;西北核技术研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61634008)
【分类号】：TP333

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本文编号：2079992