HfO_x薄膜阻变特性及机理研究

发布时间：2018-06-29 23:56

  本文选题：二氧化铪 + 薄膜　； 参考：《固体电子学研究与进展》2014年06期

【摘要】：采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ta/HfOx/Pt三明治结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Ta/HfOx/Pt结构具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比(ROFF/RON)约26,并且具有良好的重复性与保持性,循环次数超过了200次。通过XPS和R-T数据分析证实,电场作用下HfOx层中因氧的逸出以及铪的富集所形成的铪导电细丝的生长、断裂和再生是该器件发生电阻转变的主要机制。
[Abstract]:Ta-HfOx-Pt sandwich structure was prepared by RF magnetron sputtering on PT / Ti / Sio _ 2 / Si substrate. The electrical properties and chemical composition of the sandwich were analyzed. The results show that the Ta / HF / Pt structure has obvious bipolar resistance transition characteristics, the low / low resistance ratio (ROF / Ron) is about 26, and it has good repeatability and retention, and the number of cycles exceeds 200 times. XPS and R-T data analysis show that the growth, fracture and regeneration of hafnium conductive filament formed by oxygen escape and hafnium enrichment in HfOx layer under electric field are the main mechanism of resistance transition.
【作者单位】： 潍坊学院物理与光电工程学院;
【基金】：潍坊学院青年科研基金资助项目(2012Z15) 山东省自然科学基金青年基金资助项目(ZR2010EQ001)
【分类号】：TP333

【共引文献】

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本文编号：2083932