一种可编程多路闪存控制器的设计与验证

发布时间：2018-06-30 02:18

  本文选题：NAND闪存 + 多通道　； 参考：《电子技术应用》2017年09期

【摘要】：介绍了一种可应用于固态硬盘(Solid State Disk)主控芯片中的闪存控制器的设计实现方法。该闪存控制器最大支持4路闪存通路,4路闪存通路共用一个ECC纠错模块,提出一种新型可编程控制方法,CPU可实现4路闪存数据的并发读写,并兼容多种品牌的闪存颗粒。主要介绍了该闪存控制器的硬件架构及关键模块的设计实现思路,并最终给出了闪存控制器的验证结果及综合结果,在多种纠错格式及4路通路的配置下,闪存控制器的性能及成本均能满足一般SSD主控芯片的使用需求。
[Abstract]:This paper introduces a design and implementation method of flash memory controller which can be used in solid State disk. The flash controller can support a single ECC error correction module. A new programmable control method, CPU, is proposed to realize concurrent reading and writing of 4-channel flash data, and it is compatible with multi-brand flash memory particles. This paper mainly introduces the hardware architecture of the flash controller and the design and realization of the key modules, and finally gives the verification results and synthesis results of the flash memory controller, under the configuration of various error correction formats and four paths. The performance and cost of flash controller can meet the requirements of general SSD master control chip.
【作者单位】： 清华大学微电子学研究所;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)(2015AA016701)
【分类号】：TP333

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本文编号：2084417