纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究
本文选题:质子 + 纳米随机静态存储器 ; 参考:《物理学报》2015年21期
【摘要】:器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,单粒子多位翻转百分比和多样性增加,质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关.采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器,从次级粒子的能量和角度分布出发,揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因.质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素.质子能量越小,多位翻转截面角度增强效应越大;临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应.
[Abstract]:The reduction of the characteristic size of the device leads to a sharp increase of single particle multi-bit flipping, which poses a great challenge to the existing reinforcement technology. An experimental study on the effect of the incidence angle of protons at 90 nm on the multi-bit flip of single particle is carried out. The results show that with the increase of proton energy, the percentage and diversity of multi-bit flipping of single particle increase with the increase of proton energy. The multiposition reversal angle effect of proton single particle is related to proton energy. In this paper, a fast algorithm for calculating the cross sectional area of single particle multiposition flip caused by proton nuclear reaction is presented. The binary Cascade model in Geant4 is used as the event generator for the intermediate and high energy proton reaction. The energy and angle distribution of the secondary particle is considered. It is revealed that among the secondary particles produced by the reaction of proton and material, let (linear energy transfer) is the largest and the particle with the longest range preferentially emits forward, which is the fundamental reason for the correlation of multi-position reversal angle of single particle. Proton energy and critical charge are the key factors that affect the correlation of proton multiposition reversal angle. The smaller the proton energy is, the greater the angle enhancement effect is, and the higher the critical charge is, the stronger the proton multi-position flip angle effect will be.
【作者单位】: 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西北核技术研究所;
【基金】:国家科技重大专项(批准号:2014ZX01022-301)资助的课题~~
【分类号】:TP333
【参考文献】
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【共引文献】
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,本文编号:2095850
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