一种双栅结构抗单粒子翻转加固SRAM存储单元

发布时间：2018-07-06 10:39

  本文选题：单粒子翻转 + 双栅结构　； 参考：《现代电子技术》2015年18期

【摘要】：通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元。该单元在实现抗单粒子翻转加固的同时具有快速翻转恢复、快速写入、低静态功耗的特点。基于0.18μm CMOS工艺进行电路仿真,结果显示该加固单元读/写功能正确,翻转阈值大于100 Me V·cm2/mg。可以预测,该电路应用于空间辐射环境下将有较好的稳定性。
[Abstract]:Based on the analysis of the single particle effect and the strengthening principle of the anti-single particle flip circuit, a SRAM memory cell with single-particle flip reinforcement capability based on the double-gate MOS structure is proposed. The unit has the characteristics of fast flip recovery, fast writing and low static power consumption. The circuit simulation based on 0.18 渭 m CMOS process shows that the read / write function of the strengthened unit is correct, and the turnover threshold is greater than 100Me V cm2 / mg. It can be predicted that the circuit will have good stability in space radiation environment.
【作者单位】： 西安微电子技术研究所;
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2102512