一种低功耗、抗软错误的TCAM系统设计

发布时间：2018-07-15 11:47

【摘要】：为了改善TCAM在深亚微米时代严重的软错误现象以及加固所带来的高功耗问题,改进了一种基于刷新机制的TCAM结构.通过级联式NAND型TCAM匹配线降低系统功耗,左右半区分工模式的双汉明编码和译码纠错电路确保系统可以对部分两位翻转进行纠错,三管DRAM的引入大大降低了由汉明码纠错带来的复杂时序.仿真结果表明,该结构对所有一位软错误有极强的免疫力,对部分两位软错误有纠错能力.与加固前相比,搜索功耗只增加了29.8%,写入速度和搜索速度基本没受影响.该结构极大地增强了低功耗TCAM的抗软错误能力.
[Abstract]:In order to improve the serious soft error phenomenon of TCAM in the deep submicron era and the problem of high power consumption caused by reinforcement, a TCAM structure based on refresh mechanism is improved. The power consumption of the system is reduced by concatenated NAND TCAM matching line, and the double hamming coding and decoding error correction circuit of the left and right half-zone division mode ensures that the system can correct the error of part of the two-bit flip. The introduction of three-transistor DRAM greatly reduces the complexity of timing caused by hamming code error correction. The simulation results show that the structure has strong immunity to all soft errors, and has the ability to correct some two-bit soft errors. Compared with before reinforcement, the power consumption of the search is only increased by 29.8b, and the write speed and search speed are almost unaffected. The structure greatly enhances the soft error resistance of low power TCAM.
【作者单位】： 大连理工大学电子科学与技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(61306091,61131004,61001054) 大连市科技计划(2012F11GH038)
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2123962