电荷俘获存储器数据保持特性第一性原理研究
[Abstract]:In this paper, the effect of HfO2 doped Al substituted HF impurity and oxygen vacancy on the storage characteristics of charge-trapping memory is studied. As a high dielectric constant material, HFO _ 2 has the advantages of reducing the device size and improving the device performance. It is widely used in capture layer of CTM. The effect of Al doping in HfO2 trapping layer on the formation energy of oxygen vacancy was studied by MS and VASP. At the same time, the interaction energy of two defects at different distances is calculated. The results show that the formation energy of oxygen vacancy is decreased by adding Al into HfO2, and the formation energy of tri-coordinated oxygen vacancy is much lower than that of four-coordinated oxygen vacancy. By studying three cases of different distances between Al and tri-coordinated oxygen vacancies, the calculated results show that when the defect spacing is 2.107? The maximum charge capture energy, the largest number of quantum states and the longest Al-O bond are obtained. By studying the change of bond length after the three systems were written into the hole, it was concluded that the defect spacing was 2.107? The Al-O bond length of the system is minimum when the hole is written. The results show that the data retention ability of charge capture memory can be improved by adding Al. Therefore, the research in this paper provides some theoretical guidance for improving the data retention characteristics of charge capture memory.
【作者单位】: 安徽大学电子信息工程学院 安徽省集成电路设计重点实验室;合肥师范学院电子信息工程学院;
【基金】:国家自然科学基金青年项目(批准号:21201052) 安徽省高校省级自然科学研究重点项目(批准号:KJ2014A208) 安徽高校自然科学研究重点项目(批准号:KJ2013A224) 安徽高校省级优秀青年重点项目(批准号:2013SQRL065ZD)资助的课题~~
【分类号】:TP333
【共引文献】
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