嵌入式存储器空间单粒子效应失效率评估方法研究

发布时间：2018-08-20 08:01

【摘要】：嵌入式存储器易受到空间单粒子效应(Single-Event Effects,SEE)的影响。该文提出了一种单粒子效应失效率评估的方法,包含了单粒子翻转和单粒子瞬态扰动等效应对嵌入式存储器不同电路单元的具体影响,可对不同存储形式、不同容错方法的嵌入式存储器单粒子效应失效率进行定量评估。该文提出的评估方法在中国科学院电子学研究所自主研制的嵌入式可编程存储器试验芯片上得到了验证,地面单粒子模拟实验表明该文方法预测的失效率评估结果与实验测试结果的平均偏差约为10.5%。
[Abstract]:Embedded memory is vulnerable to Single-Event effects. In this paper, a method for evaluating the failure rate of single particle effect is proposed, which includes the effects of single particle flip and single particle transient disturbance on different circuit cells of embedded memory, and can be used in different storage forms. The failure rate of single particle effect in embedded memory with different fault-tolerant methods is evaluated quantitatively. The evaluation method proposed in this paper has been verified on the embedded programmable memory test chip developed by the Institute of Electronics of the Chinese Academy of Sciences. The surface single particle simulation experiment shows that the average deviation between the estimated failure rate and the experimental results is about 10.5.
【作者单位】： 中国科学院电子学研究所;中国科学院大学;
【基金】：中国科学院、国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计划资助 国家科技重大专项(2013ZX03006004)资助课题
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2192950