单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制

发布时间：2018-09-06 13:25

【摘要】：制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大,完善了电子传输的导电细丝通道,器件实现了由高阻态向低阻态的转变;在反向电压作用下,导电通道断裂,器件恢复到高阻态。
[Abstract]:A dense ZnO nanorod array resistive memory device with multistage storage effect was prepared. The current conduction mechanism and resistance mechanism of the device were analyzed by I-V curve and fluorescence spectrum. It is found that the device belongs to the ohmic conduction mechanism and the space-charge-limited current (SCLC) conduction mechanism under different resistance states. The positive electric field increases the oxygen vacancy V density in the depletion region of the nanorods surface, and improves the electron-transfer conductive filament channel. The device realizes the transition from the high resistance state to the low resistance state, and the conduction channel breaks under the action of reverse voltage. The device recovers to a high resistance state.
【作者单位】： 天津理工大学材料物理研究所光电器件与显示材料教育部重点实验室天津市光电显示材料与器件重点实验室;天津职业技术师范大学理学院;
【基金】：863国家高技术研究发展计划(2013AA014201) 天津市自然科学基金(14JCZDJC31200,15JCYBJC16800,15JCYBJC16700) 国家重大仪器设备开发专项(2014YQ120351) 天津市科技计划国际合作项目(14RCGHGX00872)资助
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2226480