面向无源超高频标签的低成本非易失存储器

发布时间：2018-09-08 14:59

【摘要】：面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。
[Abstract]:A low cost non-volatile memory (NVM). Is designed for passive UHF RFID tag chip. The memory cell is realized by PMOS transistor. The manufacturing process is compatible with the standard CMOS process, and the manufacturing cost can be reduced. A new mode of operation is proposed, which can reduce the damage to gate oxygen caused by write operation. All the memory cells in the memory share a sensitive amplifier, and the data is read out serially through the shared sensitive amplifier, which not only saves the area but also reduces the power consumption of the read operation. Based on 0.18 渭 m standard CMOS process, a memory chip with a storage capacity of 1 kbit has been designed and implemented. The core area of the memory is 0.095 mm2, and the actual measurement has been completed. The measured results show that the power consumption is 1.08 渭 W when the power supply voltage is 1.2 V and the reading rate is 1 Mb/s, and the power consumption is 44 渭 W when the write rate is 3.2 kb/s.
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所;中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心;
【基金】：国家科技支撑计划资助项目(2012BAH20B02) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA012301) 国家科技重大专项资助项目(2012ZX03004007-002) 自然科学基金资助项目(61306027)
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2230861