两类阻变机理及性能改善方法的研究

发布时间：2018-09-14 13:26

【摘要】：在新型非易失性存储领域,结构简单、高速低耗的阻变存储器具有巨大优势和很强的竞争力.简要介绍了阻变存储器的结构及其两个电阻转变行为.总结了两类阻变机理,探讨了阻变存储器性能优化的方法,以及优化方法在阻变性能与器件的可靠性和稳定性之间如何取得平衡统一的问题,并展望了其前景.
[Abstract]:In the field of new non-volatile storage, the resistive memory with simple structure, high speed and low consumption has great advantages and strong competitiveness. The structure of resistive memory and its two resistance transition behaviors are briefly introduced. In this paper, two kinds of resistance mechanisms are summarized, and the methods of performance optimization of resistive memory are discussed, and the problem of how to achieve a balance between resistance performance and reliability and stability of devices is discussed, and its prospect is prospected.
【作者单位】： 西安建筑科技大学材料与矿资学院;
【基金】：国家自然科学基金(No.51372193) 教育部基金(No.20126120120016) 高等学校博士学科点专项科研基金(No.20126120120018)
【分类号】：TP333

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本文编号：2242838