中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

发布时间：2018-11-11 16:48

【摘要】：对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。
[Abstract]:The instantaneous ionizing radiation effect of 0.15 渭 m characteristic size CMOS process commercial static random access memory (SRAM) was studied experimentally after neutron irradiation. The instantaneous dose rate reversal effect of SRAM device after neutron irradiation was obtained. The transient dose rate reversal effect of unirradiated SRAM devices is compared with that of non-neutron irradiated SRAM devices. The results show that neutron irradiation can effectively increase the instantaneous dose rate turnover threshold of SRAM devices in CMOS process. The decrease of lifetime of minority carriers caused by neutron irradiation is the main reason for this phenomenon.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
【分类号】：TP333

【参考文献】

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本文编号：2325503