宁波材料所全透明氧化物阻变器件研究取得进展

发布时间：2018-11-23 19:44

【摘要】：正基于电致阻变效应的电阻式随机存储器(RRAM)有望综合动态随机存储器(DRAM)、静态随机存储器(SRAM)和闪存(FLASH)三大主流存储器各自的存储特性,集非易失性、非破坏性读出、高存取速度、工艺和器件结构简单、可嵌入功能强等优点于一身,弥补现在DRAM、SRAM易失性和FLASH擦写速度慢的缺点,是下一代存储器的候选者之一。
[Abstract]:The resistive random access memory (RRAM), which is based on the electrically induced resistance effect, is expected to integrate the storage characteristics of the three main streams of dynamic random access memory (DRAM), static random access memory (SRAM) and flash memory (FLASH). The advantages of non-destructive readout, high access speed, simple process and device structure, strong embeddable function and so on, make up for the shortcomings of DRAM,SRAM 's volatility and FLASH's slow writing speed, so it is one of the candidates for next generation memory.
【作者单位】： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;
【分类号】：TP333

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本文编号：2352513