新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展

发布时间：2018-12-07 09:53

【摘要】：通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。
[Abstract]:The total dose effect and single particle effect of each kind of nonvolatile memory are summarized by studying the anti-radiation ability of four new types of nonvolatile memory such as ferroelectric memory magnetic random access memory phase change memory and resistive memory. The total dose effect and single particle effect are compared and analyzed. The anti-radiation ability of the new nonvolatile memory is still determined by the radiation resistance of the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) peripheral circuit outside the memory cell. This conclusion provides a reference for the study of anti-radiation non-volatile memory.
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【分类号】：TP333

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本文编号：2367013