快闪存储器阈值电压分布读取电路设计

发布时间：2018-12-12 12:00

【摘要】：提出了一种浮栅型快闪存储器(flash memory)阈值电压分布读取方法。其读出电路结构主要包括电容反馈互导放大器(capacitor feedback trans-impedance amplifier,CTIA)和8b循环型模数转换器(cyclic analog-to-digital converter),以上电路将存储单元的阈值电压进行数字量化输出。此外芯片还集成了译码电路、高压电路、偏置电路和控制电路等辅助电路。上述设计采用0.13μm 2P3M NOR快闪存储器工艺,芯片面积为2.1mm×2.8mm,其中存储阵列包含1 024×1 024个存储单元。测试结果表明该读取电路能够精确地读取快闪存储器的阈值电压分布,可以用来进行存储阵列器件和工艺的离散性等特性研究,也可以用于编程/擦除算法的优化设计。
[Abstract]:This paper presents a method for reading the threshold voltage distribution of floating gate flash memory (flash memory). The readout circuit consists of capacitive feedback Interconductance Amplifier (capacitor feedback trans-impedance amplifier,CTIA) and 8b cyclic analog-to-digital converter (cyclic analog-to-digital converter),) which outputs the threshold voltage of the memory cell digitally. In addition, the chip also integrates decoding circuit, high voltage circuit, bias circuit and control circuit. The design uses 0.13 渭 m 2P3M NOR flash memory technology. The chip area is 2.1mm 脳 2.8 mm. The memory array contains 1 024 脳 10 24 memory cells. The test results show that the circuit can accurately read the threshold voltage distribution of flash memory, can be used to study the discrete characteristics of memory array devices and processes, and can also be used in the optimization design of programming / erasure algorithm.
【作者单位】： 清华大学微电子学研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61106102)
【分类号】：TP333

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本文编号：2374514