Cu_xSi_yO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应

发布时间：2019-01-06 16:25

【摘要】：对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 Me V的4种离子束的辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06%左右。实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象。
[Abstract]:The total dose (TID) and single particle irradiation (SEE) experiments were carried out on the (RRAM) of the resistive memory with CuxSiyO structure. In the total dose experiment, 1T1R samples were exposed to 60Co 纬 -rays with a total dose of 1 k Gy (Si 2 and 3 k Gy (Si O 2, respectively. There is no phenomenon of low resistance flipping after irradiation in the sample. In the single particle irradiation experiment, 16 kbit RRAM array samples were irradiated by four ion beams with linear energy transfer (LET) up to 75 Me V. There is no phenomenon of low resistance flipping after irradiation in the sample. With the exception of one group, the turnover rate of memory cells with high to low resistance is about 0.06%. The experimental results show that the conductive channel formed in RRAM is not affected by irradiation, so there is no phenomenon of low resistance turning over to high resistance.
【作者单位】： 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
【分类号】：TP333

【参考文献】

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本文编号：2403035