新型阻变存储器的物理研究与产业化前景

发布时间：2019-03-20 18:32

【摘要】：阻变存储器具有结构简单、速度快、存储密度高、易于三维集成等诸多优点,是下一代存储器的重要候选之一。文章详细介绍了阻变存储器的工作原理、电阻转变的物理机制、电阻转变过程中的物理效应以及阻变存储器的集成和产业化前景。
[Abstract]:With the advantages of simple structure, high speed, high storage density and easy three-dimensional integration, resistance-variable memory is one of the important candidates for next-generation memory. In this paper, the working principle of resistive memory, the physical mechanism of resistive transition, the physical effect in the process of resistive transformation and the prospect of integration and industrialization of resistive variable memory are introduced in detail.
【作者单位】：中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院大学;江苏先进生物与化学制造协同创新中心;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61521064,61322408,61422407,61522408,61574169,61334007,61474136,61574166,61376112) 国家重点研发计划(批准号:2016YFA0201803,2016YFA0203800,2017YFB0405603)资助项目科技北京百名领军人才培养工程项目(批准号:Z151100000315008) 北京市科技计划课题(批准号:Z17110300200000) 中国科学院前沿科学重点研究项目(批准号:QYZDY-SSW-JSC001,QYZDB-SSW-JSC048);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金资助项目
【分类号】：TP333

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