基于简化电阻电容电路的单粒子效应应用研究

发布时间：2019-04-02 21:01

【摘要】：随着器件尺寸缩小至纳米级,微观粒子对半导体器件的影响变得越来越明显。器件可靠性的研究近年来逐渐引起了人们的重视,开展了很多相关研究。以研究单粒子翻转效应为核心,在传统混合仿真的基础上,采用简化RC电路模型对简化电路的应用进行研究,总结了电阻和电容值变化对等效电路中敏感节点处电学特性变化的规律,探究了使用Id-Vd曲线判断单粒子翻转的准确性,提出了在研究临位翻转时,通过单次实验即可有效预测临位翻转情况的方法。根据实验所得的电压电流曲线图形特点对它们进行分类,从而判断临位翻转。通过模拟实验与预测结果比对,两者的结果相符,预测有较高准确性。
[Abstract]:As the device size decreases to nano-scale, the effect of micro-particles on semiconductor devices becomes more and more obvious. In recent years, the research of device reliability has been paid more and more attention, and a lot of related researches have been carried out. Based on the traditional hybrid simulation, the simplified RC circuit model is used to study the application of simplified circuit based on the study of single-particle flip-over effect. This paper summarizes the change of electrical characteristics of sensitive nodes in equivalent circuit by the change of resistance and capacitance, probes into the accuracy of using Id-Vd curve to judge single-particle flip, and puts forward that in the study of on-site flip-over, the accuracy of single-particle flip-over is discussed. A single experiment can be used to predict the reversal of the parietal position effectively. According to the characteristics of the voltage-current curves obtained by the experiment, they are classified to judge the reversal of the temporary position. Through the comparison between the simulation experiment and the forecast result, the two results are in agreement with each other, and the prediction accuracy is high.
【作者单位】： 国防科学技术大学计算机学院;哈尔滨工业大学航天学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(60970036) 教育部博士点基金资助项目(20124307110016)
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2452918