一种改进的SOI Flash存储器

发布时间：2019-04-14 20:30

【摘要】：提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构。对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7V提升到4.9V,提升了32%;在相同的阈值电压改变量(编程和擦除过程中阈值电压偏移量分别为3.5V/-3.5V)的情况下,所需的编程时间缩短了73%,擦除时间缩短了64%,表明改进型结构的性能得到了显著提高。
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【作者单位】： 南京邮电大学电子科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61106009&61076073)
【分类号】：TP333

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本文编号：2458096