基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计

发布时间：2019-09-09 10:04

【摘要】：存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转,但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子翻转能力。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第58研究所;
【分类号】：TP333
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本文编号：2533524