5管SRAM单元的抗辐射性能研究

发布时间：2019-09-29 20:10

【摘要】：利用3DTCAD仿真,在45nm体硅工艺下,对5管SRAM单元和传统6管SRAM单元的抗辐射性能进行了对比研究。结果表明,5管SRAM单元的敏感面积更小,由该单元构成的SRAM阵列更难发生多位翻转。提出了一种带额外保护环的5管SRAM单元抗辐射加固策略,这种加固策略没有面积开销,模拟结果证实了该加固策略的有效性。
【作者单位】： 国防科技大学;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61376109)
【分类号】：TP333

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本文编号：2544116